滬公網(wǎng)安備 31011502019128號(hào)
上海市2021年度 EDA領(lǐng)域“揭榜掛帥”項(xiàng)目申報(bào)指南的通知
滬科指南〔2021〕32號(hào)
各有關(guān)單位：
為深化探索創(chuàng)新攻關(guān)新機(jī)制，推進(jìn)我市EDA領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)突破，上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)（以下簡稱“市科委”）按照揭榜掛帥制方式，針對(duì)相關(guān)科研攻關(guān)任務(wù)，凝練懸賞標(biāo)的，特發(fā)布2021年度上海市EDA領(lǐng)域“揭榜掛帥”項(xiàng)目指南。 一、征集范圍
方向一：百億門級(jí)別可擴(kuò)展原型驗(yàn)證系統(tǒng)及軟件
面向超大規(guī)模集成電路芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)對(duì)原型驗(yàn)證平臺(tái)的技術(shù)需求，研發(fā)國產(chǎn)百億門級(jí)可擴(kuò)展原型驗(yàn)證系統(tǒng)，包含自動(dòng)分片、編譯、運(yùn)行、調(diào)試及管理的軟件技術(shù)及相應(yīng)的可重用、易重構(gòu)的硬件架構(gòu)。
1.考核指標(biāo)：
實(shí)現(xiàn)百億門級(jí)別可擴(kuò)展原型驗(yàn)證系統(tǒng)軟件及硬件，包含：
1）自動(dòng)分片、編譯、運(yùn)行、調(diào)試及管理的軟件
（1）實(shí)現(xiàn)RTL級(jí)及網(wǎng)表級(jí)自動(dòng)分片及導(dǎo)向型分片，支持快速邏輯評(píng)估，自動(dòng)尋找最優(yōu)分片方案并添加時(shí)序和管腳約束，自動(dòng)生成分片后的系統(tǒng)仿真模型并提供全系統(tǒng)靜態(tài)時(shí)序分析。
（2）實(shí)現(xiàn)單拍TDM，支持自動(dòng)插入分片TDM邏輯，自動(dòng)分析最優(yōu)TDM復(fù)用策略，并支持用戶指定TDM復(fù)用策略。
（3）支持邏輯裁剪及模塊實(shí)例重用，自動(dòng)識(shí)別并重新編譯受影響的分片。
（4）支持多核調(diào)試。核數(shù)8個(gè)及以上，采樣頻率>100MHz，采樣深度不少于32GByte，實(shí)現(xiàn)邏輯觸發(fā)和FSM腳本觸發(fā)。
（5）提供LPDDR4/HBM內(nèi)存模型。
（6）支持動(dòng)態(tài)探針，實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的Register/BRAM的全可視功能。提供用戶寄存器訪問調(diào)試通道，提供虛擬IO，虛擬UART，vGDB等調(diào)試接口。
（7）支持原型驗(yàn)證系統(tǒng)云端管理及運(yùn)行控制，全程操作可追溯。
2）可重用易重構(gòu)的硬件架構(gòu)
（1）原型驗(yàn)證系統(tǒng)邏輯規(guī)模達(dá)到百億門及以上（≥1500M系統(tǒng)邏輯單元），全系統(tǒng)高速運(yùn)行時(shí)設(shè)計(jì)功耗容量達(dá)到20KW及以上。
（2）系統(tǒng)組網(wǎng)拓?fù)潇`活，支持100顆邏輯芯片互聯(lián)，并可擴(kuò)展到200顆。
（3）支持的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包含：8*8平面格柵、4*4*4三維格柵、星型（分枝數(shù)≥4）、環(huán)型等。
（4）系統(tǒng)裁剪無需重組線纜。
（5）支持LVDS與收發(fā)器互連組網(wǎng)，且LVDS性能≥1.4Gbps@1米，收發(fā)器性能≥16Gbps@1米。
（6）可根據(jù)組網(wǎng)拓?fù)渥兓?，快速完成組網(wǎng)自檢（≤1小時(shí)）。支持滿足條件（5）性能要求的全端口壓力測(cè)試，且7x24小時(shí)零誤碼。
2.項(xiàng)目交付件：
（1）工具軟件。
（2）樣機(jī)用于測(cè)試,樣機(jī)含40核心（每核心8.938M系統(tǒng)邏輯單元,總計(jì)>350M系統(tǒng)邏輯單元）及組網(wǎng)。
（3）各項(xiàng)測(cè)試報(bào)告。
3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。
4.擬資助經(jīng)費(fèi)：非定額資助，資助總經(jīng)費(fèi)不超過2000萬元。
方向二：模擬（ADC）芯片的EDA仿真工具驗(yàn)證和協(xié)同優(yōu)化
電路仿真EDA工具針對(duì)模擬（ADC）芯片在設(shè)計(jì)過程中的長周期后仿電路仿真速度和高位ADC電路仿真精度問題，為芯片設(shè)計(jì)提供可靠的EDA仿真驗(yàn)證環(huán)境，通過用戶的實(shí)踐反饋優(yōu)化EDA仿真工具的使用流程；同時(shí)通過不同規(guī)模的集成電路，對(duì)比和驗(yàn)證仿真的速度和精度，給出相應(yīng)比較。
通過對(duì)大規(guī)模模擬電路中各單元模塊合理化建模優(yōu)化仿真器核心算法和多事件并行處理效率，仿真出各單元模塊之間更貼近實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)的結(jié)果，例如互相串?dāng)_，IRdrop，延時(shí)過長等定量結(jié)果，分析出各模塊之間互相影響的關(guān)鍵因素。以提前預(yù)知大規(guī)模模擬芯片中由一系列非理想因素導(dǎo)致的性能惡化問題，從而優(yōu)化模擬ADC芯片設(shè)計(jì)，提升性能，縮短設(shè)計(jì)周期。
1.考核指標(biāo)
1)ADC芯片規(guī)模不小于1000個(gè)晶體管；
2)仿真的測(cè)試電路包括前仿和后仿；
3)工藝特征尺寸不大于28nm；
4)ADC位數(shù)不小于12bit；
5)SNR仿真精度要求不低于0.5dB。
2.項(xiàng)目交付件
1)模擬（ADC）芯片的前仿和后仿驗(yàn)證報(bào)告，
2)大規(guī)模模擬電路中各單元模塊之間串?dāng)_分析和驗(yàn)證方法，
3)Fullspice和不同配置的Fastspice仿真精度及仿真速度的比較，
4)Fastspice的不同配置對(duì)ADC中的串?dāng)_、IRdrop、延時(shí)、電流等仿真結(jié)果分別造成的影響。
3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。
4.擬資助經(jīng)費(fèi)：非定額資助，資助總經(jīng)費(fèi)不超過500萬元。
方向三：毫米波低功耗SOC片上無源器件設(shè)計(jì)仿真
針對(duì)高頻、高速無源器件設(shè)計(jì)，尤其片上電感大規(guī)模設(shè)計(jì)，搭建高精度的EM仿真建模平臺(tái)，處理IC設(shè)計(jì)中無源結(jié)構(gòu)仿真分析；設(shè)計(jì)多種pcell無源器件模型（螺旋電感、巴倫、T-coil等），彌補(bǔ)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)下PDK缺少或缺失pcell的問題；利用MOMsolver、智能mesh進(jìn)行電磁場快速求解及最優(yōu)剖分，提升仿真速度和精度，加快設(shè)計(jì)迭代；采用full-wave仿真、考慮趨膚效應(yīng)及鄰近效應(yīng)，保證高頻仿真準(zhǔn)確性；采用sweep功能，實(shí)現(xiàn)多溫度點(diǎn)、多物理尺寸條件下的仿真分析比對(duì)；利用后處理功能，一鍵式導(dǎo)出設(shè)計(jì)仿真報(bào)告，提升分析效率。
1.考核指標(biāo)
1)片上螺旋電感感值的仿真結(jié)果與設(shè)計(jì)目標(biāo)誤差<1%，
2)Q值不小于15；
3)電感仿真結(jié)果與其等效模型誤差<2%。
2.項(xiàng)目交付件：
1)片上螺旋電感GDS格式版圖數(shù)據(jù)、仿真S參數(shù)
2)電特性L/Q指標(biāo)驗(yàn)證報(bào)告、電感的pcell模型。
3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。
4.擬資助經(jīng)費(fèi)：非定額資助，資助總經(jīng)費(fèi)不超過120萬元。
方向四：高端GPU訓(xùn)練芯片的HBM信號(hào)完整性建模仿真
為精確評(píng)估3DIC中HBM信號(hào)的損耗、串?dāng)_、眼圖等性能指標(biāo)，需搭建3DICEM仿真建模平臺(tái)。該平臺(tái)需與3DIC設(shè)計(jì)工具無縫鏈接；支持IRCX、ICT等工藝文件，GDS設(shè)計(jì)文件導(dǎo)入，構(gòu)建精確的硅載板仿真3D模型；支持過孔合并、無功能孔填充、網(wǎng)絡(luò)自動(dòng)識(shí)別等模型編輯功能；針對(duì)3DIC設(shè)計(jì)周期中的不同時(shí)間節(jié)點(diǎn)提供不同的Mesh劃分機(jī)制；以及針對(duì)硅載板互連傳輸線特點(diǎn)的EM算法引擎，從而精確對(duì)3DIC結(jié)構(gòu)進(jìn)行電磁場建模仿真，合理評(píng)估互連結(jié)構(gòu)的損耗、串?dāng)_、眼圖等指標(biāo)是否滿足JESD235標(biāo)準(zhǔn)。
1.考核指標(biāo)
1)實(shí)現(xiàn)與3DIC設(shè)計(jì)工具的高度集成和無縫對(duì)接；
2)適用于3DICHBM結(jié)構(gòu)的EM仿真算法和引擎；
3)針對(duì)3DIC設(shè)計(jì)周期中DesignExploration、Physical
Implementation、Sign-Off節(jié)點(diǎn)提供有針對(duì)性的仿真機(jī)制；
4)HBM信號(hào)互聯(lián)結(jié)構(gòu)插入損耗、回波損耗指標(biāo)精度≥90%；
5)HBM信號(hào)互連結(jié)構(gòu)串?dāng)_指標(biāo)精度≥90%。
2.項(xiàng)目交付件
1)高端GPU訓(xùn)練芯片的HBM信號(hào)完整性建模流程評(píng)估報(bào)告；
2)仿真插回?fù)p指標(biāo)、串?dāng)_噪聲、阻抗連續(xù)性波動(dòng)指標(biāo)評(píng)估報(bào)告；
3)高端GPU訓(xùn)練芯片的HBM互連結(jié)構(gòu)3D模型。
3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。
4.經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，資助總經(jīng)費(fèi)不超過200萬元
方向五：大型稀疏矩陣求解加速算法研究
在EDA有限元電磁仿真引擎算法中，填充矩陣之后會(huì)生成大型稀疏矩陣，通常會(huì)達(dá)到上億*上億規(guī)模。但是，業(yè)內(nèi)現(xiàn)有的pardiso和umfpack等稀疏矩陣求解數(shù)學(xué)庫多核并行求解效率低，占用內(nèi)存過大，導(dǎo)致無法滿足大規(guī)模電磁仿真需求。因此，需要一套大型稀疏矩陣壓縮或者拆分算法，可以將大型稀疏矩陣拆分成多個(gè)小型矩陣，并利用MPI技術(shù)將小型矩陣分配到多臺(tái)計(jì)算節(jié)點(diǎn)分布式求解，實(shí)現(xiàn)算力和內(nèi)存占用兩個(gè)維度分布式。
1.考核指標(biāo)：
1)開發(fā)稀疏矩陣壓縮或拆分技術(shù)，將有限元填充的大型稀疏矩陣拆分成多個(gè)規(guī)模不超過1萬*1萬的小型矩陣，并且矩陣殘差控制在1e-7以內(nèi)。
2)相比現(xiàn)有商業(yè)稀疏矩陣求解效率相比，在同樣的硬件設(shè)置下，至少有10倍的加速比。
2.項(xiàng)目交付件：C++源代碼
3.執(zhí)行期限：2021年10月15日至2022年10月15日。
4.經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，資助總經(jīng)費(fèi)不超過100萬元
二、申報(bào)要求
除滿足前述相應(yīng)條件外，還須遵循以下要求：
1.項(xiàng)目申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)是注冊(cè)在本市的法人或非法人組織，具有組織項(xiàng)目實(shí)施的相應(yīng)能力。
2.研究內(nèi)容已經(jīng)獲得財(cái)政資金支持的，不得重復(fù)申報(bào)。
3.所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科研倫理準(zhǔn)則，遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實(shí)驗(yàn)室生物安全管理相關(guān)規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)承諾所提交材料真實(shí)性，申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)對(duì)申請(qǐng)人的申請(qǐng)資格負(fù)責(zé)，并對(duì)申請(qǐng)材料的真實(shí)性和完整性進(jìn)行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項(xiàng)目申請(qǐng)。
4.申報(bào)項(xiàng)目若提出回避專家申請(qǐng)的，須在提交項(xiàng)目可行性方案的同時(shí)，上傳由申報(bào)單位出具公函提出回避專家名單與理由。
5.本批“揭榜掛帥”項(xiàng)目由市科委會(huì)同用戶單位共同組織開展受理、評(píng)審、立項(xiàng)、驗(yàn)收等項(xiàng)目管理事項(xiàng)。采取會(huì)議評(píng)審方式對(duì)揭榜項(xiàng)目進(jìn)行擇優(yōu)遴選，評(píng)審答辯事宜，另行通知。
三、申報(bào)方式
1.項(xiàng)目申報(bào)采用網(wǎng)上申報(bào)方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請(qǐng)人通過“中國上?！遍T戶網(wǎng)站（http://www.sh.gov.cn）--政務(wù)服務(wù)--點(diǎn)擊“上海市財(cái)政科技投入信息管理平臺(tái)”進(jìn)入申報(bào)頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進(jìn)入申報(bào)頁面：
【初次填寫】使用申報(bào)賬號(hào)登錄系統(tǒng)（如尚未注冊(cè)賬號(hào)，請(qǐng)先轉(zhuǎn)入注冊(cè)頁面進(jìn)行單位注冊(cè)，然后再進(jìn)行申報(bào)賬號(hào)注冊(cè)），轉(zhuǎn)入申報(bào)指南頁面，點(diǎn)擊相應(yīng)的指南專題后，按提示完成“上?？萍肌庇脩糍~號(hào)綁定，再進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)；
【繼續(xù)填寫】登錄已注冊(cè)申報(bào)賬號(hào)、密碼后繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào)。
有關(guān)操作可參閱在線幫助。
2.項(xiàng)目網(wǎng)上填報(bào)起始時(shí)間為2021年9月23日9:00，截止時(shí)間（含申報(bào)單位網(wǎng)上審核提交）為2021年10月15日16:30。
四、評(píng)審方式
采用一輪見面會(huì)評(píng)審方式。
五、咨詢電話
服務(wù)熱線：021-12345、8008205114（座機(jī)）、4008205114（手機(jī)）
上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì) 2021年9月14日
【原文下載】
關(guān)于發(fā)布上海市2021年度EDA領(lǐng)域“揭榜掛帥”項(xiàng)目申報(bào)指南的通知.pdf